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产品规格

封装/外壳	16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	16-SOIC
晶体管类型	4 NPN（四路）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 150mA，10V
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 50mA，500mA
频率 - 跃迁	350MHz
功率 - 最大值	1W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
关键词

产品资料

数据列表	MMPQ2222A
标准包装	1
其它名称	MMPQ2222AR1OSCT

封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  ON Semiconductor 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 16-SOIC  ON Semiconductor 供应商器件封装 16-SOIC  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC   晶体管类型 4 NPN（四路）  ON Semiconductor 晶体管类型 4 NPN（四路）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 NPN（四路）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 NPN（四路）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 50mA，500mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 50mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 50mA，500mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 50mA，500mA   频率 - 跃迁 350MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 350MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 350MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 350MHz   功率 - 最大值 1W  ON Semiconductor 功率 - 最大值 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V