MMUN2212LT1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
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MMUN2212LT1G - 

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

ON Semiconductor MMUN2212LT1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MMUN2212LT1G
仓库库存编号:
MMUN2212LT1GOSCT-ND
描述:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

MMUN2212LT1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-23-3(TO-236)  
  晶体管类型  NPN - 预偏压  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  60 @ 5mA,10V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  246mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  500nA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  250mV @ 300μA,10mA  
  频率 - 跃迁  -  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  22k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  22k  
关键词         

产品资料
数据列表 MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3
标准包装 1
其它名称 MMUN2212LT1GOSCT

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