关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	25 @ 3mA，1V
频率 - 跃迁	2GHz
功率 - 最大值	200mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	12V
增益	-
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	-
关键词

产品资料

数据列表	MPS5179
标准包装	5,000
其它名称	MPS5179GOS

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔   工作温度 -  ON Semiconductor 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   ON Semiconductor 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-92-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 3mA，1V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 3mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 3mA，1V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 3mA，1V   频率 - 跃迁 2GHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 2GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 2GHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 2GHz   功率 - 最大值 200mW  ON Semiconductor 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V   增益 -  ON Semiconductor 增益 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  ON Semiconductor 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -