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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	50 @ 500mA，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Power - Max	625mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	600mV @ 100mA，1A
频率 - 跃迁	100MHz
关键词

产品资料

数据列表	MPS6601,02,51,52
标准包装	2,000

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 500mA，1V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 500mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 500mA，1V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 500mA，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V   Power - Max 625mW  ON Semiconductor Power - Max 625mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 625mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 625mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 100mA，1A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 100mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 100mA，1A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 100mA，1A   频率 - 跃迁 100MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz