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MTP3055VL
MTP3055VL -
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
MTP3055VL
仓库库存编号:
MTP3055VLOS-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 60V 12A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MTP3055VL产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
10nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
180 毫欧 @ 6A,5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
570pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
48W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
MTP3055VL
标准包装
50
其它名称
MTP3055VLOS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
MTP3055VL
仓库库存编号:
MTP3055VLFS-ND
别名:MTP3055VLFS
无铅
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ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
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ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 -
ON Semiconductor 系列 -
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ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
ON Semiconductor 包装 管件
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ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-220AB
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220AB
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±15V
ON Semiconductor Vgs(最大值) ±15V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 6A,5V
ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 6A,5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 6A,5V
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功率耗散(最大值) 48W(Tc)
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