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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SC-59
晶体管类型	NPN - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 5mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	338mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 300μA，10mA
频率 - 跃迁	-
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	100k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	100k
关键词

产品资料

标准包装	3,000
其它名称	MUN2236T1OS

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 SC-59  ON Semiconductor 供应商器件封装 SC-59  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SC-59  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SC-59   晶体管类型 NPN - 预偏压  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 5mA，10V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 5mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 5mA，10V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 5mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 338mW  ON Semiconductor Power - Max 338mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 338mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 338mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 300μA，10mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 300μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 300μA，10mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 300μA，10mA   频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 -   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 100k  ON Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 100k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 100k  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 100k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k  ON Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k