MUN5131DW1T1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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MUN5131DW1T1G - 

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor MUN5131DW1T1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MUN5131DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5131DW1T1G-ND
描述：
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MUN5131DW1T1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SC-88/SC70-6/SOT-363  
  晶体管类型  2 个 PNP 预偏压式（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  8 @ 5mA，10V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  500nA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  250mV @ 5mA，10mA  
  频率 - 跃迁  -  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  2.2k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  2.2k  
  功率 - 最大值  250mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 MUN/SMUN5131DW1, NSBA123EDXV6
标准包装 3,000

MUN5131DW1T1GROHS替代

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