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NCP5181DR2G - 

IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC

ON Semiconductor NCP5181DR2G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NCP5181DR2G
仓库库存编号：
NCP5181DR2GOSCT-ND
描述：
IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

NCP5181DR2G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  电压 - 电源  10 V ~ 20 V  
  供应商器件封装  8-SOIC  
  输入类型  非反相  
  上升/下降时间（典型值）  40ns，20ns  
  通道类型  独立式  
  栅极类型  N 沟道 MOSFET  
  电流 - 峰值输出（灌入，拉出）  1.4A，2.2A  
  逻辑电压?- VIL，VIH  0.8V，2.3V  
  驱动配置  半桥  
  驱动器数  2  
  高压侧电压 - 最大值（自举）  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 NCP5181
标准包装 1
其它名称 NCP5181DR2GOSCT

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电话:400-900-3095
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