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NCP5359ADR2G
NCP5359ADR2G -
IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
不提供增值包装;备有另选包装。
零件状态:过时;购买截止日期:01-10-2018。可能有最低购买数量。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NCP5359ADR2G
仓库库存编号:
NCP5359ADR2GOSCT-ND
描述:
IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NCP5359ADR2G产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
0°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
上次购买时间
电压 - 电源
10 V ~ 13.2 V
供应商器件封装
8-SOIC
输入类型
非反相
上升/下降时间(典型值)
16ns,15ns
通道类型
同步
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
-
逻辑电压?- VIL,VIH
1V,2V
驱动配置
半桥
驱动器数
2
高压侧电压 - 最大值(自举)
30V
关键词
产品资料
数据列表
NCP5359A
标准包装
1
其它名称
NCP5359ADR2GOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ON Semiconductor
IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-SOIC
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
型号:
NCP5901BDR2G
仓库库存编号:
NCP5901BDR2GOSCT-ND
别名:NCP5901BDR2GOSCT
无铅
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制造商 On Semiconductor
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ON Semiconductor PMIC - 栅极驱动器 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装
工作温度 0°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 0°C ~ 150°C(TJ)
PMIC - 栅极驱动器 工作温度 0°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
PMIC - 栅极驱动器 包装 剪切带(CT)
ON Semiconductor PMIC - 栅极驱动器 包装 剪切带(CT)
零件状态 上次购买时间
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电压 - 电源 10 V ~ 13.2 V
ON Semiconductor 电压 - 电源 10 V ~ 13.2 V
PMIC - 栅极驱动器 电压 - 电源 10 V ~ 13.2 V
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供应商器件封装 8-SOIC
ON Semiconductor 供应商器件封装 8-SOIC
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输入类型 非反相
ON Semiconductor 输入类型 非反相
PMIC - 栅极驱动器 输入类型 非反相
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上升/下降时间(典型值) 16ns,15ns
ON Semiconductor 上升/下降时间(典型值) 16ns,15ns
PMIC - 栅极驱动器 上升/下降时间(典型值) 16ns,15ns
ON Semiconductor PMIC - 栅极驱动器 上升/下降时间(典型值) 16ns,15ns
通道类型 同步
ON Semiconductor 通道类型 同步
PMIC - 栅极驱动器 通道类型 同步
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栅极类型 N 沟道 MOSFET
ON Semiconductor 栅极类型 N 沟道 MOSFET
PMIC - 栅极驱动器 栅极类型 N 沟道 MOSFET
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逻辑电压?- VIL,VIH 1V,2V
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驱动配置 半桥
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