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产品规格

封装/外壳	16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	16-SOIC
晶体管类型	7 NPN 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	1000 @ 350mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.6V @ 500μA，350mA
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	-
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	MC1413(B), NCV1413B
标准包装	1
其它名称	NCV1413BDR2GOSCT

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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• 操作

封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  ON Semiconductor 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 16-SOIC  ON Semiconductor 供应商器件封装 16-SOIC  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC   晶体管类型 7 NPN 达林顿  ON Semiconductor 晶体管类型 7 NPN 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 7 NPN 达林顿  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 7 NPN 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V   电流 - 集电极截止（最大值） -  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA   频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 -  ON Semiconductor 功率 - 最大值 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V