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NDD02N40T4G
NDD02N40T4G -
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NDD02N40T4G
仓库库存编号:
NDD02N40T4GOSCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 39W(Tc) DPAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NDD02N40T4G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
DPAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
5.5nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
5.5 欧姆 @ 220mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.7A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
121pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
39W(Tc)
漏源电压(Vdss)
400V
关键词
产品资料
数据列表
NDD02N40, NDT02N40
标准包装
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