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NDD60N745U1-1G - 

MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4

  • 非库存货
ON Semiconductor NDD60N745U1-1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NDD60N745U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N745U1-1G-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
通孔 N 沟道 600V 6.6A(Tc) 84W(Tc) I-Pak
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NDD60N745U1-1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  I-Pak  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±25V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  15nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  745 毫欧 @ 3.25A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  6.6A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  440pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  84W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 NDD60N745U1
标准包装 75

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