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NDD60N745U1-1G - 

MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4

  • 非库存货
ON Semiconductor NDD60N745U1-1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NDD60N745U1-1G
仓库库存编号：
NDD60N745U1-1G-ND
描述：
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
通孔 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） I-Pak
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NDD60N745U1-1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  I-Pak  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±25V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  15nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  745 毫欧 @ 3.25A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  6.6A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  440pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  84W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  600V  
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产品资料
数据列表 NDD60N745U1
标准包装 75

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NDD60N745U1-1G
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MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET NFET DPAK 600V 6.8A

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Trans MOSFET N-CH 600V 6.6A 4-Pin IPAK Tube (Alt: NDD60N745U1-1G)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
NDD60N745U1-1G
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Trans MOSFET N-CH 600V 6.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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Trans MOSFET N-CH 600V 6.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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ON Semiconductor		MOSFET NFET DPAK 600V 6.8A
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MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
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型号：NDD60N745U1-1G
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