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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	上次购买时间
供应商器件封装	DPAK
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	15nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	745 毫欧 @ 3.25A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6.6A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	440pF @ 50V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
功率耗散（最大值）	84W（Tc）
漏源电压（Vdss）	600V
关键词

产品资料

数据列表	NDD60N745U1
标准包装	2,500

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 上次购买时间  ON Semiconductor 零件状态 上次购买时间  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 DPAK  ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK   技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±25V  ON Semiconductor Vgs（最大值） ±25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±25V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±25V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 745 毫欧 @ 3.25A，10V  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 745 毫欧 @ 3.25A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 745 毫欧 @ 3.25A，10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 745 毫欧 @ 3.25A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 50V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 50V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 50V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 50V   FET 功能 -  ON Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 84W（Tc）  ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 84W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 84W（Tc）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 84W（Tc）   漏源电压（Vdss） 600V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 600V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 600V