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NDPL180N10BG
NDPL180N10BG -
MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3
零件状态：过时；购买截止日期：10-30-2017。可能有最低购买数量。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NDPL180N10BG
仓库库存编号：
NDPL180N10BGOS-ND
描述：
MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 180A（Ta） 2.1W（Ta），200W（Tc） TO-220-3
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NDPL180N10BG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
175°C（TJ）
系列
-
包装
管件
零件状态
上次购买时间
供应商器件封装
TO-220-3
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
95nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3 毫欧 @ 15V，50A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V，15V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
180A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6950pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），200W（Tc）
漏源电压（Vdss）
100V
关键词
产品资料
数据列表
NDPL180N10B
标准包装
50
其它名称
NDPL180N10BGOS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19536KCS
仓库库存编号：
296-37289-5-ND
别名：296-37289-5
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安装类型 通孔
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