NGD8201NT4,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
>
NGD8201NT4
NGD8201NT4 -
IGBT 440V 20A 125W DPAK
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NGD8201NT4
仓库库存编号：
NGD8201NT4-ND
描述：
IGBT 440V 20A 125W DPAK
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT 440V 20A 125W Surface Mount DPAK-3
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
NGD8201NT4产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
供应商器件封装
DPAK-3
输入类型
逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
440V
Power - Max
125W
Current - Collector (Ic) (Max)
20A
测试条件
300V，9A，1 千欧，5V
开关能量
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
50A
IGBT 类型
-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
1.9V @ 4.5V，20A
25°C 时 Td（开/关）值
-/5μs
关键词
产品资料
标准包装
2,500
NGD8201NT4您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Littelfuse Inc.
IGBT 440V 20A 125W DPAK
详细描述：IGBT 440V 20A 125W Surface Mount DPAK-3
型号：
NGD8201ANT4G
仓库库存编号：
NGD8201ANT4GOSCT-ND
别名：NGD8201ANT4GOSCT
无铅
搜索
NGD8201NT4相关搜索
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -
包装 带卷（TR）
ON Semiconductor 包装 带卷（TR）
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 DPAK-3
ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK-3
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK-3
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK-3
输入类型 逻辑
ON Semiconductor 输入类型 逻辑
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V
Power - Max 125W
ON Semiconductor Power - Max 125W
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 20A
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A
测试条件 300V，9A，1 千欧，5V
ON Semiconductor 测试条件 300V，9A，1 千欧，5V
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，9A，1 千欧，5V
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，9A，1 千欧，5V
开关能量 -
ON Semiconductor 开关能量 -
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -
Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
IGBT 类型 -
ON Semiconductor IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4.5V，20A
ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4.5V，20A
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4.5V，20A
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4.5V，20A
25°C 时 Td（开/关）值 -/5μs
ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -/5μs
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/5μs
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/5μs
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
