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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	DPAK-3
输入类型	逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	390V
Power - Max	125W
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
测试条件	300V，9A，1 千欧，5V
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	50A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.9V @ 4.5V，20A
25°C 时 Td（开/关）值	-/5μs
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	NGD8205NT4GOSCT

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 DPAK-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK-3  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK-3   输入类型 逻辑  ON Semiconductor 输入类型 逻辑  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390V   Power - Max 125W  ON Semiconductor Power - Max 125W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W   Current - Collector (Ic) (Max) 20A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A   测试条件 300V，9A，1 千欧，5V  ON Semiconductor 测试条件 300V，9A，1 千欧，5V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，9A，1 千欧，5V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，9A，1 千欧，5V   开关能量 -  ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 50A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 50A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 50A   IGBT 类型 -  ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4.5V，20A  ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4.5V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4.5V，20A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4.5V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 -/5μs  ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -/5μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/5μs  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/5μs