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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220AB
输入类型	逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	440V
Power - Max	107W
Current - Collector (Ic) (Max)	15A
测试条件	300V，6.5A，1 千欧
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	50A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.2V @ 4V，10A
25°C 时 Td（开/关）值	-/4μs
关键词

产品资料

标准包装	50
其它名称	NGP15N41CLGOS

封装/外壳 TO-220-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220AB  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB   输入类型 逻辑  ON Semiconductor 输入类型 逻辑  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 440V   Power - Max 107W  ON Semiconductor Power - Max 107W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 107W  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 107W   Current - Collector (Ic) (Max) 15A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 15A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A   测试条件 300V，6.5A，1 千欧  ON Semiconductor 测试条件 300V，6.5A，1 千欧  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，6.5A，1 千欧  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，6.5A，1 千欧   开关能量 -  ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 50A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 50A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 50A   IGBT 类型 -  ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 4V，10A  ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 4V，10A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 4V，10A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 4V，10A   25°C 时 Td（开/关）值 -/4μs  ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -/4μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/4μs  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/4μs