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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	TO-247
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	166ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	156W
Current - Collector (Ic) (Max)	30A
测试条件	600V，15A，10 欧姆，15V
开关能量	1.17mJ（开），550μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	120A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.2V @ 15V，15A
25°C 时 Td（开/关）值	72ns/168ns
栅极电荷	150nC
关键词

产品资料

数据列表	NGTB15N120FLWG
标准包装	30
其它名称	NGTB15N120FLWG-ND NGTB15N120FLWGOS

封装/外壳 TO-247-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TO-247  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247   输入类型 标准  ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 166ns  ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 166ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 166ns  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 166ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 156W  ON Semiconductor Power - Max 156W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 156W  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 156W   Current - Collector (Ic) (Max) 30A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 30A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 30A   测试条件 600V，15A，10 欧姆，15V  ON Semiconductor 测试条件 600V，15A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，15A，10 欧姆，15V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，15A，10 欧姆，15V   开关能量 1.17mJ（开），550μJ（关）  ON Semiconductor 开关能量 1.17mJ（开），550μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.17mJ（开），550μJ（关）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.17mJ（开），550μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A   IGBT 类型 -  ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，15A  ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，15A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，15A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，15A   25°C 时 Td（开/关）值 72ns/168ns  ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 72ns/168ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 72ns/168ns  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 72ns/168ns   栅极电荷 150nC  ON Semiconductor 栅极电荷 150nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 150nC  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 150nC