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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	270ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	117W
Current - Collector (Ic) (Max)	30A
测试条件	400V，15A，22 欧姆，15V
开关能量	900μJ（开），300μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	120A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.95V @ 15V，15A
25°C 时 Td（开/关）值	78ns/130ns
栅极电荷	80nC
关键词

产品资料

数据列表	NGTB15N60EG
标准包装	50
其它名称	NGTB15N60EG-ND NGTB15N60EGOS

封装/外壳 TO-220-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220   输入类型 标准  ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 270ns  ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 270ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 270ns  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 270ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 117W  ON Semiconductor Power - Max 117W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 117W  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 117W   Current - Collector (Ic) (Max) 30A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 30A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 30A   测试条件 400V，15A，22 欧姆，15V  ON Semiconductor 测试条件 400V，15A，22 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，15A，22 欧姆，15V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，15A，22 欧姆，15V   开关能量 900μJ（开），300μJ（关）  ON Semiconductor 开关能量 900μJ（开），300μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 900μJ（开），300μJ（关）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 900μJ（开），300μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A   IGBT 类型 NPT  ON Semiconductor IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.95V @ 15V，15A  ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.95V @ 15V，15A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.95V @ 15V，15A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.95V @ 15V，15A   25°C 时 Td（开/关）值 78ns/130ns  ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 78ns/130ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 78ns/130ns  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 78ns/130ns   栅极电荷 80nC  ON Semiconductor 栅极电荷 80nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 80nC  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 80nC