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NGTB15N60S1EG
NGTB15N60S1EG -
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NGTB15N60S1EG
仓库库存编号:
NGTB15N60S1EGOS-ND
描述:
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGTB15N60S1EG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
270ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
117W
Current - Collector (Ic) (Max)
30A
测试条件
400V,15A,22 欧姆,15V
开关能量
550μJ(开),350μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.7V @ 15V,15A
25°C 时 Td(开/关)值
65ns/170ns
栅极电荷
88nC
关键词
产品资料
数据列表
NGTB15N60S1EG
标准包装
50
其它名称
NGTB15N60S1EG-ND
NGTB15N60S1EGOS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 130W TO220-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 30A 130W Through Hole PG-TO220-3
型号:
IKP15N60TXKSA1
仓库库存编号:
IKP15N60TXKSA1-ND
别名:IKP15N60T
IKP15N60T-ND
SP000683064
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包装 管件
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Current - Collector (Ic) (Max) 30A
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测试条件 400V,15A,22 欧姆,15V
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栅极电荷 88nC
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