NGTB20N120LWG,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
>
NGTB20N120LWG
NGTB20N120LWG -
IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
已过时的产品。
当零件存货耗尽后，该零件将成为非库存货；此时将采用最低订购量方法。 订购数量应为可供数量或者可供数量加上最低订购数量的倍数。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NGTB20N120LWG
仓库库存编号：
NGTB20N120LWGOS-ND
描述：
IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 192W Through Hole TO-247
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
NGTB20N120LWG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
192W
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
测试条件
600V，20A，10 欧姆，15V
开关能量
3.1mJ（开），700μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)
200A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.2V @ 15V，20A
25°C 时 Td（开/关）值
86ns/235ns
栅极电荷
200nC
关键词
产品资料
标准包装
30
其它名称
NGTB20N120LWG-ND
NGTB20N120LWGOS
NGTB20N120LWG相关搜索
封装/外壳 TO-247-3
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-247
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247
输入类型 标准
ON Semiconductor 输入类型 标准
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 192W
ON Semiconductor Power - Max 192W
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 192W
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 192W
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 40A
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A
测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V
ON Semiconductor 测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V
开关能量 3.1mJ（开），700μJ（关）
ON Semiconductor 开关能量 3.1mJ（开），700μJ（关）
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.1mJ（开），700μJ（关）
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.1mJ（开），700μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
IGBT 类型 沟槽型场截止
ON Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，20A
ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，20A
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，20A
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，20A
25°C 时 Td（开/关）值 86ns/235ns
ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 86ns/235ns
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 86ns/235ns
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 86ns/235ns
栅极电荷 200nC
ON Semiconductor 栅极电荷 200nC
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 200nC
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 200nC
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
