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NGTB20N135IHRWG
NGTB20N135IHRWG -
IGBT 1350V 40A 394W TO247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NGTB20N135IHRWG
仓库库存编号:
NGTB20N135IHRWGOS-ND
描述:
IGBT 1350V 40A 394W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop 1350V 40A 394W Through Hole TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGTB20N135IHRWG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1350V
Power - Max
394W
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
测试条件
600V,20A,10 欧姆,15V
开关能量
600μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.65V @ 15V,20A
25°C 时 Td(开/关)值
-/245ns
栅极电荷
234nC
关键词
产品资料
数据列表
NGTB20N135IHRWG
标准包装
30
其它名称
NGTB20N135IHRWGOS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1400V 40A 272W TO-3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1400V 40A 272W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA20S140P
仓库库存编号:
FGA20S140P-ND
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1500V 60A TO-247
详细描述:IGBT 1500V 60A 500W Through Hole TO-247
型号:
FGH30S150P
仓库库存编号:
FGH30S150P-ND
无铅
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-247
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247
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输入类型 标准
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V
Power - Max 394W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 394W
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Current - Collector (Ic) (Max) 40A
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测试条件 600V,20A,10 欧姆,15V
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开关能量 600μJ(关)
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.65V @ 15V,20A
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栅极电荷 234nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 234nC
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 234nC
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