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NGTB25N120FL2WG
NGTB25N120FL2WG -
IGBT 1200V 25A TO247-3
非库存货
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NGTB25N120FL2WG
仓库库存编号：
NGTB25N120FL2WG-ND
描述：
IGBT 1200V 25A TO247-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Field Stop Through Hole TO-247-3
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGTB25N120FL2WG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247-3
输入类型
标准
反向恢复时间（trr）
154ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
385W
Current - Collector (Ic) (Max)
50A
测试条件
600V，25A，10 欧姆，15V
开关能量
1.95mJ（开），600μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)
100A
IGBT 类型
场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.4V @ 15V，25A
25°C 时 Td（开/关）值
87ns/179ns
栅极电荷
178nC
关键词
产品资料
数据列表
NGTB25N120FL2WG
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ON Semiconductor
IGBT 1200V 25A TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 192W Through Hole TO-247
型号：
NGTB25N120FLWG
仓库库存编号：
NGTB25N120FLWGOS-ND
别名：NGTB25N120FLWG-ND
NGTB25N120FLWGOS
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1200V 100A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 100A 349W Through Hole TO-247-3
型号：
NGTB25N120FL3WG
仓库库存编号：
NGTB25N120FL3WGOS-ND
别名：NGTB25N120FL3WGOS
无铅
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-247-3
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输入类型 标准
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反向恢复时间（trr） 154ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
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Power - Max 385W
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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 385W
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Current - Collector (Ic) (Max) 50A
ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 50A
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测试条件 600V，25A，10 欧姆，15V
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开关能量 1.95mJ（开），600μJ（关）
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Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
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IGBT 类型 场截止
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不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，25A
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25°C 时 Td（开/关）值 87ns/179ns
ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 87ns/179ns
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 87ns/179ns
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 87ns/179ns
栅极电荷 178nC
ON Semiconductor 栅极电荷 178nC
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 178nC
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 178nC
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