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NGTB25N120FLWG
NGTB25N120FLWG -
IGBT 1200V 25A TO247-3
不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NGTB25N120FLWG
仓库库存编号：
NGTB25N120FLWGOS-ND
描述：
IGBT 1200V 25A TO247-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 192W Through Hole TO-247
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGTB25N120FLWG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
反向恢复时间（trr）
240ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
192W
Current - Collector (Ic) (Max)
50A
测试条件
600V，25A，10 欧姆，15V
开关能量
1.5mJ（开），950μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)
200A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.2V @ 15V，25A
25°C 时 Td（开/关）值
91ns/228ns
栅极电荷
220nC
关键词
产品资料
数据列表
NGTB25N120FLWG
标准包装
30
其它名称
NGTB25N120FLWG-ND
NGTB25N120FLWGOS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
详细描述：IGBT 1200V 50A 192W Through Hole TO-247
型号：
NGTB25N120IHLWG
仓库库存编号：
NGTB25N120IHLWGOS-ND
别名：NGTB25N120IHLWGOS
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1200V 100A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 100A 349W Through Hole TO-247-3
型号：
NGTB25N120FL3WG
仓库库存编号：
NGTB25N120FL3WGOS-ND
别名：NGTB25N120FL3WGOS
无铅
搜索
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封装/外壳 TO-247-3
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
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ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
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包装 管件
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零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 TO-247
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247
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输入类型 标准
ON Semiconductor 输入类型 标准
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准
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反向恢复时间（trr） 240ns
ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 240ns
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ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 240ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
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ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 192W
ON Semiconductor Power - Max 192W
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 192W
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 192W
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 50A
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A
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测试条件 600V，25A，10 欧姆，15V
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开关能量 1.5mJ（开），950μJ（关）
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IGBT 类型 沟槽型场截止
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不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，25A
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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，25A
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，25A
25°C 时 Td（开/关）值 91ns/228ns
ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 91ns/228ns
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 91ns/228ns
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 91ns/228ns
栅极电荷 220nC
ON Semiconductor 栅极电荷 220nC
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 220nC
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 220nC
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