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NGTB40N120FL2WG - 

IGBT 1200V 80A 535W TO247

ON Semiconductor NGTB40N120FL2WG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NGTB40N120FL2WG
仓库库存编号：
NGTB40N120FL2WGOS-ND
描述：
IGBT 1200V 80A 535W TO247
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NGTB40N120FL2WG产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间（trr）  240ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  535W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  80A  
  测试条件  600V，40A，10 欧姆，15V  
  开关能量  3.4mJ（开），1.1mJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  200A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.4V @ 15V，40A  
  25°C 时 Td（开/关）值  116ns/286ns  
  栅极电荷  313nC  
关键词         

产品资料
数据列表 NGTB40N120FL2WG
标准包装 30
其它名称 NGTB40N120FL2WGOS

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