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NGTB40N120FL3WG
NGTB40N120FL3WG -
IGBT 1200V 160A TO247
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NGTB40N120FL3WG
仓库库存编号：
NGTB40N120FL3WGOS-ND
描述：
IGBT 1200V 160A TO247
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
IGBT Trench Field Stop 1200V 160A 454W Through Hole TO-247-3
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGTB40N120FL3WG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247-3
输入类型
标准
反向恢复时间（trr）
136ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
454W
Current - Collector (Ic) (Max)
160A
测试条件
600V，40A，10 欧姆，15V
开关能量
1.6mJ（开），1.1mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)
160A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.3V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值
18ns/145ns
栅极电荷
212nC
关键词
产品资料
数据列表
NGTB40N120FL3WG
标准包装
30
其它名称
NGTB40N120FL3WGOS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ON Semiconductor
IGBT 1200V 80A 535W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247
型号：
NGTB40N120FL2WG
仓库库存编号：
NGTB40N120FL2WGOS-ND
别名：NGTB40N120FL2WGOS
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1200V 100A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 100A 349W Through Hole TO-247-3
型号：
NGTB25N120FL3WG
仓库库存编号：
NGTB25N120FL3WGOS-ND
别名：NGTB25N120FL3WGOS
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1200V 160A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 160A 454W Through Hole TO-247-3
型号：
NGTB40N120L3WG
仓库库存编号：
NGTB40N120L3WGOS-ND
别名：NGTB40N120L3WGOS
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE SCHTKY 1200V 38A PGTO252-2
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 38A（DC） PG-TO252-2
型号：
IDM10G120C5XTMA1
仓库库存编号：
IDM10G120C5XTMA1CT-ND
别名：IDM10G120C5XTMA1CT
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1.2KV 40A TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 160A 454W Through Hole TO-247-3
型号：
NGTB40N120S3WG
仓库库存编号：
NGTB40N120S3WGOS-ND
别名：NGTB40N120S3WGOS
无铅
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
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ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
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包装 管件
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测试条件 600V，40A，10 欧姆，15V
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开关能量 1.6mJ（开），1.1mJ（关）
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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.6mJ（开），1.1mJ（关）
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Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
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IGBT 类型 沟槽型场截止
ON Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，40A
ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，40A
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，40A
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值 18ns/145ns
ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 18ns/145ns
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 18ns/145ns
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 18ns/145ns
栅极电荷 212nC
ON Semiconductor 栅极电荷 212nC
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 212nC
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 212nC
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