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NGTB40N120FLWG
NGTB40N120FLWG -
IGBT 1200V 40A TO247
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NGTB40N120FLWG
仓库库存编号：
NGTB40N120FLWG-ND
描述：
IGBT 1200V 40A TO247
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 260W Through Hole TO-247
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGTB40N120FLWG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
反向恢复时间（trr）
200ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
260W
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
测试条件
600V，40A，10 欧姆，15V
开关能量
2.6mJ（开），1.6mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)
160A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.2V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值
130ns/385ns
栅极电荷
415nC
关键词
产品资料
标准包装
30
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ON Semiconductor
IGBT 1200V 80A 535W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247
型号：
NGTB40N120FL2WG
仓库库存编号：
NGTB40N120FL2WGOS-ND
别名：NGTB40N120FL2WGOS
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1200V 160A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 160A 454W Through Hole TO-247-3
型号：
NGTB40N120FL3WG
仓库库存编号：
NGTB40N120FL3WGOS-ND
别名：NGTB40N120FL3WGOS
无铅
搜索
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封装/外壳 TO-247-3
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-247
ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247
输入类型 标准
ON Semiconductor 输入类型 标准
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间（trr） 200ns
ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 200ns
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 200ns
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 200ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 260W
ON Semiconductor Power - Max 260W
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 260W
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 260W
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 80A
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A
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测试条件 600V，40A，10 欧姆，15V
ON Semiconductor 测试条件 600V，40A，10 欧姆，15V
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开关能量 2.6mJ（开），1.6mJ（关）
ON Semiconductor 开关能量 2.6mJ（开），1.6mJ（关）
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Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
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IGBT 类型 沟槽型场截止
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不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，40A
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ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值 130ns/385ns
ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 130ns/385ns
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 130ns/385ns
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栅极电荷 415nC
ON Semiconductor 栅极电荷 415nC
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 415nC
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 415nC
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