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NGTB40N120SWG
NGTB40N120SWG -
IGBT 40A 1200V TO-247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NGTB40N120SWG
仓库库存编号:
NGTB40N120SWGOS-ND
描述:
IGBT 40A 1200V TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 1200V 80A 535W Through Hole TO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGTB40N120SWG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
240ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
535W
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
测试条件
600V,40A,10 欧姆,15V
开关能量
3.4mJ(开),1.1mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
200A
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.4V @ 15V,40A
25°C 时 Td(开/关)值
116ns/286ns
栅极电荷
313nC
关键词
产品资料
数据列表
NGTB40N120SWG
标准包装
30
其它名称
NGTB40N120SWGOS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
STMicroelectronics
IGBT 1200V 60A 220W TO247
详细描述:IGBT 1200V 60A 220W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW30NC120HD
仓库库存编号:
497-5314-5-ND
别名:497-5314-5
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1200V 80A 535W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247
型号:
NGTB40N120FL2WG
仓库库存编号:
NGTB40N120FL2WGOS-ND
别名:NGTB40N120FL2WGOS
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 25A 1200V TO-247
详细描述:IGBT Trench 1200V 50A 385W Through Hole TO-247-3
型号:
NGTB25N120SWG
仓库库存编号:
NGTB25N120SWGOS-ND
别名:NGTB25N120SWGOS
无铅
搜索
STMicroelectronics
TRENCH GATE IGBT TO247 PKG
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247-3
型号:
STGWA40H120DF2
仓库库存编号:
497-16005-5-ND
别名:497-16005-5
STGWA40H120DF2-ND
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1.2KV 40A TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 160A 454W Through Hole TO-247-3
型号:
NGTB40N120S3WG
仓库库存编号:
NGTB40N120S3WGOS-ND
别名:NGTB40N120S3WGOS
无铅
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
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ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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包装 管件
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开关能量 3.4mJ(开),1.1mJ(关)
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Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
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IGBT 类型 沟道
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ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
ON Semiconductor 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
25°C 时 Td(开/关)值 116ns/286ns
ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 116ns/286ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 116ns/286ns
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栅极电荷 313nC
ON Semiconductor 栅极电荷 313nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 313nC
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 313nC
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