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NGTB40N60FLWG
NGTB40N60FLWG -
IGBT 600V 80A 257W TO247
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NGTB40N60FLWG
仓库库存编号:
NGTB40N60FLWGOS-ND
描述:
IGBT 600V 80A 257W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGTB40N60FLWG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
77ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
257W
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
测试条件
400V,40A,10 欧姆,15V
开关能量
890μJ(开),440μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
160A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.1V @ 15V,40A
25°C 时 Td(开/关)值
85ns/174ns
栅极电荷
171nC
关键词
产品资料
数据列表
NGTB40N60FLWG
标准包装
30
其它名称
NGTB40N60FLWGOS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
NCP81062MNTWG
仓库库存编号:
NCP81062MNTWGOSCT-ND
别名:NCP81062MNTWGOSCT
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型号:
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安装类型 通孔
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栅极电荷 171nC
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ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 171nC
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