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产品规格

封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-3P
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Power - Max	405W
Current - Collector (Ic) (Max)	80A
测试条件	400V，40A，10 欧姆，15V
开关能量	420μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	160A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.7V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值	-
栅极电荷	190nC
关键词

产品资料

数据列表	NGTB40N65IHRTG
标准包装	30
其它名称	NGTB40N65IHRTGOS

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3P  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P   输入类型 标准  ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 405W  ON Semiconductor Power - Max 405W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 405W  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 405W   Current - Collector (Ic) (Max) 80A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 80A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A   测试条件 400V，40A，10 欧姆，15V  ON Semiconductor 测试条件 400V，40A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，40A，10 欧姆，15V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，40A，10 欧姆，15V   开关能量 420μJ（关）  ON Semiconductor 开关能量 420μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 420μJ（关）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 420μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A   IGBT 类型 沟槽型场截止  ON Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，40A  ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，40A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，40A   25°C 时 Td（开/关）值 -  ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -   栅极电荷 190nC  ON Semiconductor 栅极电荷 190nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 190nC  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 190nC