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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247-3
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	70ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	300W
Current - Collector (Ic) (Max)	90A
测试条件	400V，45A，10 欧姆，15V
开关能量	1.25mJ（开），530μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	180A
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.4V @ 15V，45A
25°C 时 Td（开/关）值	72ns/132ns
栅极电荷	125nC
关键词

产品资料

数据列表	NGTB45N60S1WG
标准包装	30
其它名称	NGTB45N60S1WGOS

封装/外壳 TO-247-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3   输入类型 标准  ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 70ns  ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 70ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 70ns  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 70ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 300W  ON Semiconductor Power - Max 300W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W   Current - Collector (Ic) (Max) 90A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 90A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 90A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 90A   测试条件 400V，45A，10 欧姆，15V  ON Semiconductor 测试条件 400V，45A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，45A，10 欧姆，15V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，45A，10 欧姆，15V   开关能量 1.25mJ（开），530μJ（关）  ON Semiconductor 开关能量 1.25mJ（开），530μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.25mJ（开），530μJ（关）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.25mJ（开），530μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 180A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 180A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 180A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 180A   IGBT 类型 沟道  ON Semiconductor IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，45A  ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，45A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，45A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，45A   25°C 时 Td（开/关）值 72ns/132ns  ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 72ns/132ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 72ns/132ns  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 72ns/132ns   栅极电荷 125nC  ON Semiconductor 栅极电荷 125nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 125nC  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 125nC