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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	TO-247-3
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	376ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Current - Collector (Ic) (Max)	100A
测试条件	400V，50A，10 欧姆，15V
开关能量	600μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	200A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.6V @ 15V，50A
25°C 时 Td（开/关）值	70ns/144ns
栅极电荷	135nC
关键词

产品资料

数据列表	NGTB50N60SWG
标准包装	30

封装/外壳 TO-247-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TO-247-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3   输入类型 标准  ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 376ns  ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 376ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 376ns  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 376ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Current - Collector (Ic) (Max) 100A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100A   测试条件 400V，50A，10 欧姆，15V  ON Semiconductor 测试条件 400V，50A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，50A，10 欧姆，15V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，50A，10 欧姆，15V   开关能量 600μJ（关）  ON Semiconductor 开关能量 600μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 600μJ（关）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 600μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A   IGBT 类型 沟槽型场截止  ON Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，50A  ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，50A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，50A   25°C 时 Td（开/关）值 70ns/144ns  ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 70ns/144ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 70ns/144ns  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 70ns/144ns   栅极电荷 135nC  ON Semiconductor 栅极电荷 135nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 135nC  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 135nC