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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	TO-247
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	76ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	298W
Current - Collector (Ic) (Max)	120A
测试条件	400V，60A，10 欧姆，15V
开关能量	1.41mJ（开），600μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	240A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.5V @ 15V，60A
25°C 时 Td（开/关）值	87ns/180ns
栅极电荷	173nC
关键词

产品资料

数据列表	NGTB60N60SWG
标准包装	30
其它名称	NGTB60N60SWGOS

封装/外壳 TO-247-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TO-247  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247   输入类型 标准  ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 76ns  ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 76ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 76ns  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 76ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 298W  ON Semiconductor Power - Max 298W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 298W  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 298W   Current - Collector (Ic) (Max) 120A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 120A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 120A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 120A   测试条件 400V，60A，10 欧姆，15V  ON Semiconductor 测试条件 400V，60A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，60A，10 欧姆，15V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，60A，10 欧姆，15V   开关能量 1.41mJ（开），600μJ（关）  ON Semiconductor 开关能量 1.41mJ（开），600μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.41mJ（开），600μJ（关）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.41mJ（开），600μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 240A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 240A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 240A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 240A   IGBT 类型 沟槽型场截止  ON Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，60A  ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，60A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，60A   25°C 时 Td（开/关）值 87ns/180ns  ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 87ns/180ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 87ns/180ns  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 87ns/180ns   栅极电荷 173nC  ON Semiconductor 栅极电荷 173nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 173nC  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 173nC