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产品规格

封装/外壳	模具
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	模具
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
测试条件	-
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	200A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.4V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值	-
关键词

产品资料

数据列表	NGTD30T120F2
标准包装	1

封装/外壳 模具  ON Semiconductor 封装/外壳 模具  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 模具  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 模具   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 模具  ON Semiconductor 供应商器件封装 模具  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 模具  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 模具   输入类型 标准  ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   测试条件 -  ON Semiconductor 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A   IGBT 类型 沟槽型场截止  ON Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，40A  ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，40A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，40A   25°C 时 Td（开/关）值 -  ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -