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NGTG15N60S1EG
NGTG15N60S1EG -
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NGTG15N60S1EG
仓库库存编号：
NGTG15N60S1EGOS-ND
描述：
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGTG15N60S1EG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
117W
Current - Collector (Ic) (Max)
30A
测试条件
400V，15A，22 欧姆，15V
开关能量
550μJ（开），350μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
1.7V @ 15V，15A
25°C 时 Td（开/关）值
65ns/170ns
栅极电荷
88nC
关键词
产品资料
数据列表
NGTG15N60S1EG
标准包装
50
其它名称
NGTG15N60S1EG-ND
NGTG15N60S1EGOS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 16A Through Hole TO-220-3
型号：
FEP16JT-E3/45
仓库库存编号：
FEP16JT-E3/45GI-ND
别名：FEP16JT-E3/45-ND
FEP16JTE345
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18532KCS
仓库库存编号：
296-34941-5-ND
别名：296-34941-5
无铅
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安装类型 通孔
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栅极电荷 88nC
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