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产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-223
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	7nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	125 毫欧 @ 2.6A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.6A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	250pF @ 35V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 100μA
功率耗散（最大值）	1.69W（Ta）
漏源电压（Vdss）	52V
关键词

产品资料

数据列表	NIF9N05CL
标准包装	1
其它名称	NIF9N05CLT1OSCT

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-223  ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-223  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223   技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±15V  ON Semiconductor Vgs（最大值） ±15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±15V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±15V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 2.6A，10V  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 2.6A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 2.6A，10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 2.6A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V  ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 35V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 35V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 35V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 35V   FET 功能 -  ON Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 100μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 100μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 100μA  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 100μA   功率耗散（最大值） 1.69W（Ta）  ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 1.69W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.69W（Ta）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.69W（Ta）   漏源电压（Vdss） 52V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 52V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 52V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 52V