NIF9N05CLT1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
>
NIF9N05CLT1G
NIF9N05CLT1G -
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NIF9N05CLT1G
仓库库存编号：
NIF9N05CLT1GOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 59V 2.6A（Ta） 1.69W（Ta） SOT-223
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
NIF9N05CLT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-223
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
7nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
125 毫欧 @ 2.6A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.6A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
250pF @ 35V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 100μA
功率耗散（最大值）
1.69W（Ta）
漏源电压（Vdss）
59V
关键词
产品资料
数据列表
NIF9N05CL
标准包装
1
其它名称
NIF9N05CLT1GOSCT
NIF9N05CLT1G您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 1.69W（Ta） SOT-223
型号：
NCV8440ASTT1G
仓库库存编号：
NCV8440ASTT1GOSCT-ND
别名：NCV8440ASTT1GOSCT
无铅
搜索
NIF9N05CLT1G相关搜索
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 SOT-223
ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-223
晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223
技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值） ±15V
ON Semiconductor Vgs（最大值） ±15V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±15V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 2.6A，10V
ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 2.6A，10V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 2.6A，10V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 2.6A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V
ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）
ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 35V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 35V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 35V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 35V
FET 功能 -
ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 100μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 100μA
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 100μA
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 100μA
功率耗散（最大值） 1.69W（Ta）
ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 1.69W（Ta）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.69W（Ta）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.69W（Ta）
漏源电压（Vdss） 59V
ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 59V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 59V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 59V
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
