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产品规格

封装/外壳	TO-264-5
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-264
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	25 @ 8A，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	250V
Power - Max	200W
电流 - 集电极截止（最大值）	100μA
Current - Collector (Ic) (Max)	16A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	4V @ 3.2A，16A
频率 - 跃迁	4MHz
关键词

产品资料

数据列表	NJL21193,94DG
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 02/Jan/2007
标准包装	25

封装/外壳 TO-264-5  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-264-5  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-264-5  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-264-5   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-264  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-264  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-264  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-264   晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 8A，5V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 8A，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 8A，5V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 8A，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V   Power - Max 200W  ON Semiconductor Power - Max 200W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200W   电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA   Current - Collector (Ic) (Max) 16A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 16A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 16A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 16A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 3.2A，16A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 3.2A，16A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 3.2A，16A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 3.2A，16A   频率 - 跃迁 4MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 4MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz