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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	D2PAK
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 4A，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Power - Max	2W
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA
Current - Collector (Ic) (Max)	10A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 400mA，8A
频率 - 跃迁	40MHz
关键词

产品资料

数据列表	MJB4xH11,NJVMJB45H11
标准包装	800

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 D2PAK  ON Semiconductor 供应商器件封装 D2PAK  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 D2PAK  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 D2PAK   晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 4A，1V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 4A，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 4A，1V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 4A，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 2W  ON Semiconductor Power - Max 2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA   Current - Collector (Ic) (Max) 10A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 10A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 400mA，8A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 400mA，8A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 400mA，8A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 400mA，8A   频率 - 跃迁 40MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 40MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 40MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 40MHz