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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	DPAK-3
晶体管类型	NPN - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	1000 @ 4A，4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Power - Max	1.75W
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	4V @ 8A，80mA
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	MJD_NJVMJD(122,127)
标准包装	1
其它名称	NJVMJD122T4G-VF01OSCT NJVMJD122T4GOSCT NJVMJD122T4GOSCT-ND

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  ON Semiconductor 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 DPAK-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK-3   晶体管类型 NPN - 达林顿  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 4A，4V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 4A，4V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 4A，4V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 4A，4V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V   Power - Max 1.75W  ON Semiconductor Power - Max 1.75W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.75W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.75W   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA   Current - Collector (Ic) (Max) 8A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 8A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 8A，80mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 8A，80mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 8A，80mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 8A，80mA   频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -