关于我们 | 联系我们

库存查询

• 非库存货

产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	DPAK-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 300mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	250V
Power - Max	1.56W
电流 - 集电极截止（最大值）	200μA
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 200mA，1A
频率 - 跃迁	10MHz
关键词

产品资料

数据列表	MJDxx,NJVMJD4774G
标准包装	2,500

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DPAK-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK-3   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 300mA，10V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 300mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 300mA，10V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 300mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V   Power - Max 1.56W  ON Semiconductor Power - Max 1.56W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.56W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.56W   电流 - 集电极截止（最大值） 200μA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 200μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 200μA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 200μA   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，1A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，1A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，1A   频率 - 跃迁 10MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 10MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 10MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 10MHz