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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	DPAK-3
晶体管类型	NPN - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	2000 @ 2A，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	350V
Power - Max	45W
电流 - 集电极截止（最大值）	50μA
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.5V @ 20mA，2A
频率 - 跃迁	90MHz
关键词

产品资料

数据列表	NJD35N04G,NJVNJD35N04x4G
标准包装	75

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DPAK-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DPAK-3   晶体管类型 NPN - 达林顿  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 2A，2V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 2A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 2A，2V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 2A，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V   Power - Max 45W  ON Semiconductor Power - Max 45W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 45W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 45W   电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA   Current - Collector (Ic) (Max) 4A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 20mA，2A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 20mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 20mA，2A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 20mA，2A   频率 - 跃迁 90MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 90MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 90MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 90MHz