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NRVUD320VT4G
NRVUD320VT4G -
DIODE GEN PURP 200V 3A DPAK
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NRVUD320VT4G
仓库库存编号:
NRVUD320VT4G-ND
描述:
DIODE GEN PURP 200V 3A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
标准 表面贴装 二极管 3A DPAK-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NRVUD320VT4G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
DPAK-3
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
5μA @ 200V
反向恢复时间(trr)
35ns
电流 - 平均整流(Io)
3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
950mV @ 3A
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
200V
不同?Vr,F 时的电容
-
速度
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
关键词
产品资料
标准包装
2,500
其它名称
SURD8320T4G
SURD8320T4G-ND
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
二极管 - 整流器 - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
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系列 -
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包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
二极管 - 整流器 - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 DPAK-3
ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK-3
二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 DPAK-3
ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 DPAK-3
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 200V
ON Semiconductor 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 200V
二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 200V
ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 200V
反向恢复时间(trr) 35ns
ON Semiconductor 反向恢复时间(trr) 35ns
二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间(trr) 35ns
ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间(trr) 35ns
电流 - 平均整流(Io) 3A
ON Semiconductor 电流 - 平均整流(Io) 3A
二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流(Io) 3A
ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流(Io) 3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 950mV @ 3A
ON Semiconductor 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 950mV @ 3A
二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 950mV @ 3A
ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 950mV @ 3A
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
ON Semiconductor 工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C
二极管类型 标准
ON Semiconductor 二极管类型 标准
二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 标准
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电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V
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二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V
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不同?Vr,F 时的电容 -
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速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
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二极管 - 整流器 - 单 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
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