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产品规格

封装/外壳	SOT-1123
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-1123
晶体管类型	PNP - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	35 @ 5mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	254mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 300μA，10mA
频率 - 跃迁	-
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	10k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	10k
关键词

产品资料

数据列表	MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3
标准包装	8,000

封装/外壳 SOT-1123  ON Semiconductor 封装/外壳 SOT-1123  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SOT-1123  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SOT-1123   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-1123  ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-1123  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SOT-1123  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SOT-1123   晶体管类型 PNP - 预偏压  ON Semiconductor 晶体管类型 PNP - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 35 @ 5mA，10V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 35 @ 5mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 35 @ 5mA，10V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 35 @ 5mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 254mW  ON Semiconductor Power - Max 254mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 254mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 254mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 300μA，10mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 300μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 300μA，10mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 300μA，10mA   频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 -   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  ON Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  ON Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k