NSBC114YPDXV6T1,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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NSBC114YPDXV6T1 - 

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor NSBC114YPDXV6T1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NSBC114YPDXV6T1
仓库库存编号:
NSBC114YPDXV6OSCT-ND
描述:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NSBC114YPDXV6T1产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563,SOT-666  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-563  
  晶体管类型  1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  80 @ 5mA,10V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  500nA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  250mV @ 300μA,10mA  
  频率 - 跃迁  -  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  10k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  47k  
  功率 - 最大值  500mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 NSBC114YPDXV6OSCT

NSBC114YPDXV6T1ROHS替代

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