NSBC115TPDP6T5G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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NSBC115TPDP6T5G - 

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

  • 非库存货
ON Semiconductor NSBC115TPDP6T5G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NSBC115TPDP6T5G
仓库库存编号：
NSBC115TPDP6T5G-ND
描述：
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NSBC115TPDP6T5G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-963  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-963  
  晶体管类型  1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  160 @ 5mA，10V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  500nA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  250mV @ 1mA，10mA  
  频率 - 跃迁  -  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  100k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  -  
  功率 - 最大值  339mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 NSBC114TPDP6
标准包装 8,000

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