关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-563
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	8 @ 5mA，10V
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 5mA，10mA
频率 - 跃迁	-
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	2.2k
功率 - 最大值	500mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	MUN5330DW1, NSBC113EPDXV6
标准包装	4,000
其它名称	NSBC123EPDXV6T1GOS

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  ON Semiconductor 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-563  ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-563  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-563  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-563   晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  ON Semiconductor 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 8 @ 5mA，10V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 8 @ 5mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 8 @ 5mA，10V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 8 @ 5mA，10V   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 5mA，10mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 5mA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 5mA，10mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 5mA，10mA   频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 -   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  ON Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k  ON Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k   功率 - 最大值 500mW  ON Semiconductor 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 500mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 500mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V