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产品规格

封装/外壳	3-WDFN 裸露焊盘
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	3-WDFN（2x2）
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 500mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	12V
Power - Max	740mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	440mV @ 100mA，1A
频率 - 跃迁	200MHz
关键词

产品资料

数据列表	NSS12100UW3TCG
标准包装	1
其它名称	NSS12100UW3TCGOSCT

封装/外壳 3-WDFN 裸露焊盘  ON Semiconductor 封装/外壳 3-WDFN 裸露焊盘  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-WDFN 裸露焊盘  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-WDFN 裸露焊盘   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 3-WDFN（2x2）  ON Semiconductor 供应商器件封装 3-WDFN（2x2）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-WDFN（2x2）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-WDFN（2x2）   晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，2V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，2V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V   Power - Max 740mW  ON Semiconductor Power - Max 740mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 740mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 740mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 440mV @ 100mA，1A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 440mV @ 100mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 440mV @ 100mA，1A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 440mV @ 100mA，1A   频率 - 跃迁 200MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz