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产品规格

封装/外壳	SOT-23-6
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	6-TSOP
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 1.5A，1.5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	35V
Power - Max	625mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	310mV @ 20mA，2A
频率 - 跃迁	100MHz
关键词

产品资料

数据列表	NSS35200MR6T1G
标准包装	1
其它名称	NSS35200MR6T1GOSCT

封装/外壳 SOT-23-6  ON Semiconductor 封装/外壳 SOT-23-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SOT-23-6  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SOT-23-6   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 6-TSOP  ON Semiconductor 供应商器件封装 6-TSOP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 6-TSOP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 6-TSOP   晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1.5A，1.5V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1.5A，1.5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1.5A，1.5V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1.5A，1.5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35V   Power - Max 625mW  ON Semiconductor Power - Max 625mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 625mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 625mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA   Current - Collector (Ic) (Max) 2A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 310mV @ 20mA，2A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 310mV @ 20mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 310mV @ 20mA，2A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 310mV @ 20mA，2A   频率 - 跃迁 100MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz