NST3906DXV6T1,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

NST3906DXV6T1 - 

TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor NST3906DXV6T1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NST3906DXV6T1
仓库库存编号：
NST3906DXV6T1OS-ND
描述：
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 500mW Surface Mount SOT-563
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

NST3906DXV6T1产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563，SOT-666  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-563  
  晶体管类型  2 PNP（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  100 @ 10mA，1V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  -  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  400mV @ 5mA，50mA  
  频率 - 跃迁  250MHz  
  功率 - 最大值  500mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  200mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  40V  
关键词         

产品资料
数据列表 NST3906DXV6T1,5
标准包装 4,000
其它名称 NST3906DXV6T1OS

NST3906DXV6T1ROHS替代

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

NST3906DXV6T1相关搜索

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  ON Semiconductor 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-563  ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-563  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-563  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-563   晶体管类型 2 PNP（双）  ON Semiconductor 晶体管类型 2 PNP（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V   电流 - 集电极截止（最大值） -  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 250MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 250MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 250MHz   功率 - 最大值 500mW  ON Semiconductor 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 500mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 500mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号